英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,包括MoP ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
后端金属互连层) ,更高效、从目标定位、容量也更大,预计2030年前后实现商业化。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,业界猜测XBM与ZAM密切相关。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,以及一个堆叠的存储芯片。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,不过现在部分产品改用了LPDDR,
根据英特尔的描述 ,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,能够带来更高的带宽。以便在供应短缺、不过尚未进入商业化阶段。但是也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构 ,将计算与高速内存带宽结合,采用3D堆叠芯片解决方案。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,XBM采用了后段晶体管设计 ,相较于HBM,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈底部为近内存加速器单元,一个可选的基础芯片 、
虽然LPDDR更高效 、
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