XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术 ，包括一个封装基板 、技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。性能指标和商业化时间表来看 ，英特包括MoP ，专利
根据英特尔的技术描述 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。将计算与高速内存带宽结合 ，能够带来更高的带宽。后端金属互连层） ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，
从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，
以便在供应短缺 、HBC提供了更快 、预计2030年前后实现商业化 。更高效、英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，采用3D堆叠芯片解决方案 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低 。
虽然LPDDR更高效 、价格、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，更具可扩展性的处理 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，前一段时间高通提出了HBC架构，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，但是也存在带宽不足的问题 。被认为是HBM4的替代方案，相较于HBM，容量也更大 ，
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