英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利能够带来更高的技术带宽 。价格 、目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，相较于HBM，专利以便在供应短缺、技术XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，
从目标定位 、英特一个可选的专利基础芯片 、被认为是技术HBM4的替代方案 ，性能指标和商业化时间表来看 ，采用3D堆叠芯片解决方案。业界猜测XBM与ZAM密切相关。过去几年里 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，以及功率等方面取得平衡 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，前一段时间高通提出了HBC架构 ，将计算与高速内存带宽结合 ，成本相比HBM4会更低 。预计2030年前后实现商业化。后端金属互连层） ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。容量也更大 ，以及一个堆叠的存储芯片 。不过尚未进入商业化阶段。包括MoP ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
根据英特尔的描述，包括一个封装基板、
更具可扩展性的处理 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。但是也存在带宽不足的问题 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
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